Si te preocupa la batería de tu teléfono y tener que recargarla repetidamente, aquí tienes una buena noticia. Porque IBM y Samsung afirman que su nuevo diseño de chip puede ahorrar una semana de duración de la batería de los teléfonos. Han anunciado su último avance en el diseño de semiconductores: una nueva forma de apilar los transistores verticalmente en un chip (en lugar de colocarlos planos en la superficie del semiconductor).
Los gigantes tecnológicos IBM y Samsung han declarado que su nuevo chip de diseño de transistores de efecto de campo de transporte vertical (VTFET) es compatible con la actual tecnología FinFET. Esta tecnología es la que utilizan los chips más avanzados. Este chip está densamente empaquetado con un transistor. Porque es capaz de apilar los transistores verticalmente. En lugar de la disposición horizontal de lado a lado, permite que la corriente fluya hacia arriba y hacia abajo. En la actualidad, la mayoría de los chips utilizan la disposición horizontal de lado a lado.
Los diseños verticales de los semiconductores son la tendencia actual en la industria tecnológica. Muchas de las principales empresas tecnológicas, incluida Intel, están diseñando su futuro plan de trabajo en esta dirección. En esta fase inicial, todas las empresas tecnológicas intentan centrarse en el apilamiento de componentes de chips.
A principios de este año, IBM ha mostrado una vía diferente para meter más transistores. Están tratando de aumentar la cantidad para poder ajustarse al diseño FinFET existente. El transistor “gate-all-around” de Intel también posee la tecnología de producción FinFET. Forma parte de la generación de semiconductores Intel 20A, cuya producción está prevista para 2024.