Jos olet huolissasi puhelimesi akusta ja joudut lataamaan sitä toistuvasti, tässä hyviä uutisia. IBM ja Samsung nimittäin väittävät, että heidän uusi suunnitelmansa uudesta sirusta voi säästää puhelimen akun viikon mittaisen käyttöiän.

He ovat ilmoittaneet uusimmasta edistysaskeleestaan puolijohde-suunnittelussa: uudesta tavasta pinota transistorit pystysuoraan sirulle (sen sijaan, että ne olisivat tasaisesti puolijohteen pinnalla).

Teknologiajätit IBM ja Samsung kertoivat, että heidän uusi VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistors) -suunnittelusirunsa on yhteensopiva nykyisen FinFET-tekniikan kanssa. Tätä tekniikkaa käyttävät edistyksellisimmät sirut. Tämä siru on tiheästi pakattu transistori.

Koska se pystyy pinoamaan transistorit pystysuoraan, sivulta toiselle suuntautuvan vaakasuoran asettelun sijaan se mahdollistaa virran virtaamisen ylös ja alas. Tällä hetkellä useimmissa siruissa on käytetty sivulta toiselle suuntautuvaa vaakasuoraa asettelua.

Puolijohteiden pystysuuntaiset rakenteet ovat teknologiateollisuuden nykyinen trendi. Koska monet suuret teknologiayritykset, kuten Intel, suunnittelevat tulevaa tiekarttaansa tähän suuntaan. Tässä alkuvaiheessa jokainen teknologiayritys pyrkii keskittymään sirukomponenttien pinoamiseen.

Aiemmin tänä vuonna IBM on osoittanut toisenlaisen reitin kohti useampien transistorien kasaamista. He yrittävät skaalata määrää niin, että se mahtuu nykyiseen FinFET-malliin. Intelin portin ympärillä oleva transistori omistaa myös FinFET-tuotantoteknologian. Se on osa Intelin 20A-sukupolven puolijohdetuotteita, joiden tuotannon on määrä alkaa vuonna 2024.